Notas de Eletrotécnica: Transistores Mosfet, Notas de aula de Cultura

Baixe Notas de Eletrotécnica: Transistores Mosfet e outras Notas de aula em PDF para Cultura, somente na Docsity!

ELETROELETRÔNICA

TRANSISTORES MOSFET

Prof. Julio Omori

TRANSISTORES MOSFET O MOSFET é um elemento largamente empregado na construção de circuitos integrados, devido a caracteristicas de construção. 5 G D 7 . metal = = e cor dinda de silício assa sas ea no | N| a | SUBSTRATO P Pg zo = MOÓSFET de Conol N O MOSFET de canal n é constituido de um substrato tipo p no qual são difundidas duas regiões tipo n. Estas regiões formam a fonte (5) e o dreno (D). À porta (6) é formada por uma camada de dióxido de silício (isolante), em cima da qual é depositada uma placa de metal. à porta é isolada do canal. O diodo PN que existe num FET de junção foi eliminado no MÓSFET. TRANSISTORES MOSFET 24 - Mosfet tipo depleção O MOSFET tipo depleção tem seu aspecto tisico conforme a figura abaixo. 5 G D EEE EPL NT LM SUBSTRATO P Fig. 23 - MOSFET tipo depleção de canal No Este tipo de construção apresenta uma estreita camada tipo N que interliga a fonte (3) e que permitirá o fluxo de corrente mesmo quando nenhuma tensão for aplicada à porta. TRANSISTORES MOSFET 2.5 - Polarização do Mosfet tipo depleção Vamos considerar o circuito da figura abaixo: o [A - Polorização do MOSFET-tipo Depleção tConal NI] Fig. Zé Se a tensão Vas for igual a zero, irá circular uma corrente Ip no circuito, uma vez que existe canal para que essa corrente possa fluir Sendo a porta (65) nezativa em relação à fonte (5), teremos que a camada de metal fica negativa e polariza o isolante. Haverã um estreitamento do canal N, dimimundo a corrente Ip no dispositivo. TRANSISTORES MOSFET 2.6 - Mosfet tipo crescimento O funcionamento do MOSFET tipo crescimento é semelhante ao MOSFET tipo depleção. O aspecto físico do MOSFET tipo crescimento está representado na figura abaixo. 5 Db Lo 5 1 [ TN [o SUBSTRATO P Fig. 28 -— MOSFET tipo crescimento de conal N Para este tipo de construção o canal de condução da corrente Ip só vai aparecer quando houver tensão Vos. TRANSISTORES MOSFET 2.7 - Polarização do Mosfet tipo crescimento Vamos considerar o circuito da figura abaixo: — se — [ — LA E Vos Le vas “7” 5 Fig &T - Pelorização do MOSFET tipo crescimento (Gansl NJ No caso da figura acima em que o MOSFET é de canal N. quando polarizamos a porta (6) negativamente em circulará entre estes dois elementos sera função da relação à fonte (5), não havera condução. Fazendo a porta (G) positiva em relação à fonte (5) e aumentando a tensão de Vas estabelecemos um contato entre a fonte (5) e o dremo (D), onde a corrente Ip que agora circulará entre estes dois elementos será função da tensão positiva à porta (G) que controlará a largura do canal.