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Esse é o datasheet de um dos transistor mais difíceis de se encontrar e que está presente em diversas maquinas.
Tipologia: Manuais, Projetos, Pesquisas
1 / 7
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Não perca as partes importantes!
Dimensions in inches and (millimeters)
.016 (0.4)
.056 (1.
)
.037(0.95) .037(0.95)
max. .004 (0.1)
.122 (3.1)
.016 (0.4) .016 (0.4)
3
1 2
Top View
.102 (2.6)
.007 (0.175) .045 (1.15)
.118 (3.0)
.052 (1.
)
.005 (0.125)
.094 (2.4)
.037 (0.95)
Case: SOT-23 Plastic Package Weight: approx. 0.008 g
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Pin configuration 1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector.
Small Signal Transistors (NPN)
5/
Symbol Value Unit
Collector-Base Voltage BC BC BC848, BC
VCBO VCBO VCBO
80 50 30
V V V
Collector-Emitter Voltage BC BC BC848, BC
VCES VCES VCES
80 50 30
V V V
Collector-Emitter Voltage BC BC BC848, BC
VCEO VCEO VCEO
65 45 30
V V V
Emitter-Base Voltage BC846, BC BC848, BC
VEBO VEBO
6 5
V V
Collector Current IC 100 mA
Peak Collector Current ICM 200 mA
Peak Base Current IBM 200 mA
Peak Emitter Current –IEM 200 mA
Power Dissipation at TSB = 50 °C Ptot 310 1)^ mW
Junction Temperature Tj 150 °C
Storage Temperature Range TS –65 to +150 °C
BC846 THRU BC
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. Especially suited for automatic insertion in thick- and thin-film circuits. These transistors are subdivided into three groups A, B and C according to their current gain. The type BC846 is available in groups A and B, however, the types BC847 and BC848 can be supplied in all three groups. The BC849 is a low noise type available in groups B and C. As complementary types, the PNP transistors BC856...BC859 are recommended.
Marking code
Type Marking
BC846A B BC847A B C
1A 1B 1E 1F 1G
Type Marking
BC848A B C BC849B C
1J 1K 1L 2B 2C
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Symbol Min. Typ. Max. Unit
h-Parameters at VCE = 5 V, IC = 2 mA, f = 1 kHz, Small Signal Current Gain Current Gain Group A B C Input Impedance Current Gain Group A B C Output Admittance Current Gain Group A B C Reverse Voltage Transfer Ratio Current Gain Group A B C
hfe hfe hfe hie hie hie hoe hoe hoe
hre hre hre
DC Current Gain at VCE = 5 V, IC = 10 μA Current Gain Group A B C at VCE = 5 V, IC = 2 mA Current Gain Group A B C
hFE hFE hFE
hFE hFE hFE
Thermal Resistance Junction to Substrate Backside
RthSB – – 320 1)^ K/W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air RthJA – – 450 1)^ K/W
Collector Saturation Voltage at IC = 10 mA, IB = 0.5 mA at IC = 100 mA, IB = 5 mA
VCEsat VCEsat
mV mV
Base Saturation Voltage at IC = 10 mA, IB = 0.5 mA at IC = 100 mA, IB = 5 mA
VBEsat VBEsat
mV mV
Base-Emitter Voltage at VCE = 5 V, IC = 2 mA at VCE = 5 V, IC = 10 mA
mV mV
Collector-Emitter Cutoff Current at VCE = 80 V BC at VCE = 50 V BC at VCE = 30 V BC848, BC at VCE = 80 V, Tj = 125 °C BC at VCE = 50 V, Tj = 125 °C BC at VCE = 30 V, Tj = 125 °C BC848, BC
nA nA nA μA μA μA
Gain-Bandwidth Product at VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
fT – 300 – MHz
BC846 THRU BC
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BC846 THRU BC