UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRICA, ELECTRONICA, INFORMATICA Y MECANICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA
PRACTICA 4
AMPLIFICADOR MULTIETAPA CON TRANSISTOR BJT Y FET
OBJETIVOS
1) Analizar experimentalmente un amplificador con transistores BJT y FET
2) Conocer el modelo en pequeña señal del amplificador con BJT y FET
3) Conocer el punto de operación, las zonas de trabajo a través de un análisis en DC así
como las zonas de trabajo.
INTRODUCCIÓN
El transistor de efecto de campo (FET del inglés Field Effect Transistor) el cual ha sido
propuesto por W. Shockley en el año 1952 (https://www.youtube.com/watch?v=f3IUVvJ2XgI)
se diferencia del BJT (Bipolar Junction Transistor) en que éste último es controlado por
corriente mientras que el primero por tensión. Su funcionamiento (FET) depende del uso de un
voltaje aplicado para controlar los portadores (electrones en canal N y huecos en de canal P).
Esta tensión controla la corriente en el dispositivo mediante un campo eléctrico.
Al igual que los BJT, los FET son dispositivos de tres terminales, pero a diferencia del transistor
bipolar, es la tensión en dos terminales la que controla el flujo de corriente que fluye en el
tercer terminal. Los tres terminales en un FET son: drenador (D), fuente (S) y puerta (G).
Al comparar FETs con BJTs, es posible ver que drenar (D) es análogo al colector y la fuente
(S) es análogo al emisor (E). El tercer contacto es la puerta (G) y es análogo a la base. La fuente
y el drenaje de un FET generalmente pueden intercambiarse sin afectar la operación del
transistor.
INFORME PREVIO.
Identifique y/o desarrolle:
• Zonas de trabajo del transistor FET.
• Punto de operación y zonas de trabajo del transistor FET
• Circuito transistorizado de polarización fija con BJT y FET.
• Ganancia de tensión de un amplificador con transistores BJT y FET
EQUIPOS
• Osciloscopio
• Multímetros
• Generador de funciones
• Fuente de alimentación
